三星宣布3纳米光刻工艺将于明年投入生产

三星宣布3纳米光刻工艺将于明年投入生产

三星在最近召开的2021年中国晶圆代工论坛上宣布,3纳米光刻工艺将在2022年投入大规模生产。

3纳米级光刻工艺将是三星首次使用GAA闸极全环晶体管技术。闸极全环晶体管是将这一元件围绕整个载子通道。

三星宣布3纳米光刻工艺将于明年投入生产

之前,业界担心三星这一工艺节点难产。此次论坛大会上三星公布了3GAE(GAA早期版本)的幻灯片。3GAE最初计划在2020年底进行风险生产,2021年开始量产,但该公司上个月才推出其第一批3GAE纳米测试芯片。

作为三星最大的第三方客户,高通公司的工程副总裁奇迪·奇丹巴拉姆博士之前估计,三星GAA工艺要等到2023到2024年方能投入生产。

三星宣布3纳米光刻工艺将于明年投入生产

中国台湾台积电计划明年批量生产3纳米级芯片。

在芯片制程的升级大战中,三星在14 纳米工艺节点时取得了代工领域的霸主地位,但在10纳米工艺节点时输给了台积电。到3纳米芯片时代,这一落后趋势仍然未得到有效扭转。

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