台积电2纳米芯片工厂获批 将采用MBCFET晶体管工艺生产

台积电2纳米芯片工厂获批 将采用MBCFET晶体管工艺生产

周三,中国台湾环境审查委员会批准了台积电新竹2纳米芯片工厂。台积电计划在明年初开始建设该工厂,并在2023 年开始安装生产设备。

该工厂位于新竹宝山乡,占地近50亩,预计每天将使用 98000 吨水,约占台积电2020年每日总用水量的 50%。台积电承诺到2025年使用10%的再生水,到2030年在宝山新工厂使用 100% 的再生水。

在2纳米工艺上,台积电将摒弃延续多年的FinFET鳍式场效晶体管,甚至不使用三星计划在3纳米工艺上使用的GAAFET全栅场效应晶体管设计,而是采用了所谓MBCFET多桥沟道场效应晶体管工艺,这是一种基于纳米片而不是纳米线的晶体管设计。这种晶体管设计提供了晶体管通道的四面覆盖,能够减少功率损耗,同时提高晶体管的性能。

台积电2纳米芯片工厂获批 将采用MBCFET晶体管工艺生产

今年年初,全球芯片出现短缺,德国、日本和美国在汽车制造商纷纷向要求芯片厂商增加汽车芯片的产量,这凸显了中国台湾作为先进半导体供应地的重要性。台湾方面也将芯片制造作为一种战略优势及对经济增长最重要的产业之一。

英特尔公司周二表示,争取到2024年开始生产世界上最先进的芯片,并在2025年从台积电和三星电子等亚洲竞争对手手中夺回全球芯片冠军。

不过,台积电也没坐等对手的追赶,占全球纯晶圆代工市场超过 50%的台积电已经宣布,为了巩固自己在行业内的领先地位,将在今年投入300亿美元投资扩大生产和升级其技术,这是该公司有史以来最高资本支出。

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