世界首个“MRAM磁阻随机存取存储器”内存计算技术问世

世界首个“MRAM磁阻随机存取存储器”内存计算技术问世

世界首个“MRAM磁阻随机存取存储器”内存计算技术问世。三星最近公布了基于内存计算的MRAM芯片技术,它有望大大降低计算机功耗,成为最有前途的下一代低功耗人工智能半导体芯片技术。

在传统计算机架构中,数据存储在内存芯片中,而数据计算在单独的处理器芯片中执行。MRAM技术则在内存中同时执行存储和数据计算。MRAM中的数据不是作为电荷存储,而是由磁存储元件存储。这些元件是由两块铁磁性板构成,其中一个设置为特定极性的永磁体,另一个板的磁化可以改变,以便匹配外部磁场的磁化来存储数据。如果两个板具有相同的磁化对准(也就是低电阻状态),则将其视为“1”,而如果对准反平行,则电阻将更高(高电阻状态),这意味着“0”。

世界首个“MRAM磁阻随机存取存储器”内存计算技术问世

除了低功耗外,MRAM的优点还有耐用,速度快,可以大规模生产,但将其投入实际应用的难点在于它的低电阻以及随着尺寸缩小会产生数据写入错误。通过使用新的内存架构,三星解决了低电阻的问题。

通过运行改进后MRAM内存执行AI计算,该MRAM内存芯片在人脸识别方面取得了93.4%的准确率,在神经网络仿真上取得了98%的准确率。

三星方面认为,新的MRAM芯片不仅可以用于内存计算,还可以作为下载生物神经元网络的平台,这是因为内存计算与大脑相似,因为在大脑中,计算也发生在生物记忆或突触网络中,也就是神经元相互接触的点。

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