三星宣布今年下半年将推出世界首个“GAA全环绕栅极”工艺芯片

三星宣布今年下半年将推出世界首个“GAA全环绕栅极”工艺芯片

三星宣布今年下半年将推出世界首个“GAA全环绕栅极”工艺芯片。GAA全环绕栅极是一种改进的晶体管结构,其中栅极从四面八方接触沟道并实现持续缩放,与之前的FinFET鳍式场效晶体管以及三闸极晶体管相比,GAA全环绕栅极能够进一步缩小晶体管尺寸。

中国台湾的台积电在全环绕栅极晶体管工艺研发上取得了先发优势,现在,三星在该工艺上取得突破有望撼动台积电在纳米芯片制程上的统治地位。

在三星的研发路线图中,第一代和第二代GAA工艺分别命名为3GAE和3GAP。

三星宣布今年下半年将推出世界首个“GAA全环绕栅极”工艺芯片

GAA和FinFET技术都用于制造3D芯片,与老式的平面生产工艺相比,这两种工艺

提高了晶体管密度。

2022年下半年,台积电有望利用现有的FinFET晶体管结构推出3纳米芯片。这是一个安全的步骤,因为现有的EDA电子设计自动化工具和知识产权可以与FinFET技术一起使用。

去年,为了追上台积电,三星在芯片研发上的投资创下了398亿美元的纪录。尽管如此,三星在其现有的5纳米节点的生产技术上还是遇到了产量问题。尽管推迟了向先进节点的量产爬升,但出产量落后于公司的预期。

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